Teollisuuslähteiden, joita siteeraa ZDNet, mukaan Samsung Electronics harkitsee uudelleen NRD-K linjan 2 käyttötarkoitusta, joka on rakenteilla sen Giheungin kampuksella. Yritys pohtii alkujaan suunnitellun tutkimus- ja kehityslinjan muuntamista valmistuslaitokseksi, joka olisi omistettu 2nm logiikkaperuspiirien valmistukselle seuraavan sukupolven suurellä kaistanleveydellä varustetuille muistituotteille (HBM). Tällä toimenpiteellä varaudutaan nopeasti kasvavaan tulevaan HBM-kysyntään suurilta asiakkailta, kuten Nvidialta.
Teollisuuslähteiden, joita siteeraa ZDNet, mukaan Samsung Electronics harkitsee uudelleen NRD-K linjan 2 käyttötarkoitusta, joka on rakenteilla sen Giheungin kampuksella. Yritys pohtii alkujaan suunnitellun tutkimus- ja kehityslinjan muuntamista valmistuslaitokseksi, joka olisi omistettu 2nm logiikkaperuspiirien valmistukselle seuraavan sukupolven suurellä kaistanleveydellä varustetuille muistituotteille (HBM). Tällä toimenpiteellä varaudutaan nopeasti kasvavaan tulevaan HBM-kysyntään suurilta asiakkailta, kuten Nvidialta.
NRD-K linja 2 suunniteltiin alun perin edistyneeseen prosessikehitykseen. Viimeisimmän suunnitelman mukaan laitos toimittaisi pääasiassa peruspiirejä räätälöityihin HBM-tuotteisiin ja HBM5:een tuotannon käynnistyttyä. Samsung on päättänyt valmistaa HBM5-peruspiirit 2nm prosessilla, joka perustuu sen gate-all-around (GAA) -arkkitehtuuriin. Seuraavan sukupolven tuotteiden odotetaan tarjoavan yli 50 % nopeammat tiedonsiirtonopeudet kuin HBM4E, mikä tekee perinteisistä peruspiirisuunnitelmista yhä kykenemättömiä täyttämään kaistanleveys- ja tehonkulutusvaatimukset. Seoul Economic Daily raportoi aiemmin, että Samsung paljasti julkisesti yksityiskohtia HBM5-ratkaisustaan ensimmäistä kertaa kesäkuussa tänä vuonna.
Linjan on tarkoitus aloittaa toimintansa vuoden 2028 loppupuolella. Lähteiden mukaan, koska laitos on suhteellisen pieni, se todennäköisesti toimii "send-fab"-mallilla apuvalmistuslaitoksena. Sen sijaan, että hoitaisi koko piisirun valmistusprosessin itsenäisesti, se ottaisi siruja Samsungin tärkeimmiltä suurvolyymisen tuotannon linjoilta ja suorittaisi vain valittuja prosessivaiheita. Laitos täydentäisi Samsungin edistyksellisten solmujen kapasiteettia sen sijaan, että toimisi täydellisenä, itsenäisenä tuotantolinjana.
Projektilla on vielä noin kaksi vuotta ennen suunniteltua käyttöönottoa, eikä lopullista suunnitelmaa ole vielä hyväksytty. Vaikka sisäinen ehdotus on suurimmaksi osaksi valmis, laitehankintatilauksia ei ole vielä tehty. Investointisummia ja laitoksen lopullista käyttötarkoitusta voidaan vielä säätää puolijohdemarkkinoiden kysynnän muutosten mukaan.
NRD-K on integroitunut edistyneen tutkimuksen ja kehityksen keskus, jota Samsung rakentaa noin 20 biljoonan wonin investoinnilla. Suunnitelmissa on kolme tuotantolinjaa. Linja 1 valmistui vuoden 2024 lopussa, kun taas Linja 2:n alustavat maatyöt alkoivat tänä vuonna ja perustukset ovat tällä hetkellä käynnissä.
Samsungin mahdollinen R&D-linjan muuntaminen omistautuneeksi valmistuslinjaksi HBM-peruspiireille heijastaa sen strategiaa vahvistaa yhteistyötä muisti- ja valmistusliiketoimintojen välillä. Nvidia seuraavan sukupolven Feynman-GPU:ita varten suunnitellut HBM5 ja räätälöidyt HBM-tuotteet vaativat suorituskykyisiä logiikkaperuspiirejä. Jos Samsung pystyy valmistamaan nämä 2nm peruspiirit itse, se voi vahvistaa kilpailuasemaansa ja saada paremman hallinnan ydin-HBM-komponenttien tuotantokapasiteettiin.