Maailmanlaajuiset muistimarkkinat eroavat edelleen, kun Etelä-Korean kaksi johtavaa muistivalmistajaa keskittyvät 1c DRAM- ja HBM-kapasiteetin laajentamiseen hidastaen samalla seuraavan sukupolven NAND-flash-kehitystä.Tämä muutos on luonut arvokkaan markkinaikkunan Kioxia-Sandisk-allianssille.
Global Economicin mukaan saksalaisen teknologialiikkeen ComputerBaseen viitaten Kioxia ja Sandisk aikovat lisätä merkittävästi NAND-investointejaan hyödyntäen teknologiaansa ja tuotantokapasiteettiaan vastatakseen kysyntään tekoälyn datakeskusten tallennusmarkkinoilla.
Tiedot osoittavat, että Yhdysvaltain ja Japanin NAND-liittouma aikoo käyttää 4,5 miljardia dollaria pääomamenoihin tänä tilivuonna, mikä vastaa 6,75 biljoonaa wonia, mikä merkitsee 41 prosentin kasvua vuositasolla.Investointi keskittyy pääasiassa kymmenennen sukupolven BiCS-arkkitehtuurin NAND-tuotteisiin.
Nikkein mukaan Kioxia aikoo aloittaa seuraavan sukupolven NANDin massatuotannon Kitakamin tehtaalla Iwaten prefektuurissa Japanissa vuonna 2026. Tuotearkkitehtuuri etenee kahdeksannen sukupolven 218-kerroksisesta NANDista 332-kerroksiseen NANDiin.Tuotannossa käytetään viime syyskuussa toimintansa aloittanutta K2-linjaa, mikä mahdollistaa nykyisten valmistusresurssien tehokkaamman hyödyntämisen.
Viimeisin kapasiteetin laajennus johtuu tekoälyteollisuuden rakenteellisesta kysynnän kasvusta.Tekoälykehityksen siirtyessä infrastruktuurikoulutuksesta laajamittaiseen johtopäätöskäyttöön, suorituskykyisten ja suuren kapasiteetin tallennustuotteiden kysyntä jatkaa kasvuaan.Suuret pilvipalveluntarjoajat kohdistavat enemmän datakeskusinvestointeja tallennustilaan, kun taas SSD:n kapasiteetti GPU:ta kohti on kaksinkertaistunut vuodesta toiseen.Seuraavan sukupolven tekoälypalvelimet on nyt yleensä varustettu kymmenillä teratavuilla tallennustilaa GPU:ta kohden, mikä lisää huippuluokan NANDin kysyntää.
ZDNetin mukaan Kioxia on asettanut kymmenennen sukupolven BiCS NANDin massatuotannon vuodelle 2026 keskeiseksi tavoitteeksi. Edelliseen 218-kerroksiseen sukupolveen verrattuna uusi tuote tarjoaa 59 % lisäyksen tallennustiheyteen pinta-alayksikköä kohti ja 33 % parannusta tiedonsiirtonopeuteen.Sen tärkein tekninen etu on erittäin korkea varastointitiheys vähemmällä pinotulla kerroksella, mikä auttaa yksinkertaistamaan pystysuoraa etsausta, vähentämään kehittyneiden laitteiden kulumista, vähentämään kiekkojen vääntymisvirheitä ja parantamaan merkittävästi tuotantokustannuksia.Sen QLC-arkkitehtuuri voi saavuttaa 37,6 Gb/mm²:n tiheyden, mikä ylittää Samsungin suunnitteleman 430-kerroksen V10-arkkitehtuurituotteen.
Toisin kuin yhdysvaltalaisten ja japanilaisten yritysten aggressiivinen kapasiteetin laajentaminen, korealaiset muistivalmistajat ovat yleisesti hidastaneet NAND-teknologian tiekarttojaan.TrendForcen tiedot osoittavat, että suurten maailmanlaajuisten NAND-toimittajien odotetaan lisäävän vain vähän tai ei ollenkaan uutta kapasiteettia vuonna 2026. Samsung on lykännyt kymmenennen sukupolven 430-kerroksisen NANDin massatuotantoa vuoden 2027 jälkeen, eikä ole vielä viimeistellyt laitehankintatilauksia.
Toimialaanalyytikot uskovat, että jos Kioxia ja Sandisk jatkavat kustannusten parantamista ja nopeuttavat yritystason QLC SSD -levyjen käyttöönottoa, ne voisivat laajentaa edelleen osuuttaan tekoälyn datakeskusten tallennusmarkkinoilla.Samsung ja SK hynix, joita tukevat kypsät yhdeksännen sukupolven tuotetuotot sekä vahvat valtion ja yritysten asiakassuhteet, pysyvät erittäin kilpailukykyisinä.Globaalin NAND-teollisuuden odotetaan siirtyvän uuteen kilpailun vaiheeseen.