Valitse maasi tai alueesi.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

Viimeistele 3 nanometrin prosessikehitys vuonna 2020, mitkä ovat Samsungin tappajat 5G-aikakaudella?

2019 on vuosi, jolloin 5G-tekniikka tunnetaan ja kuluttajat ovat siihen yhteydessä. Tämän vuoden alussa Samsung julkaisi ensimmäisen 5G-kaupallisen matkapuhelimen Galaxy S105G-version, joka tarjoaa ensimmäisenä kuluttajille päätetuotteen, joka tuntee 5G-verkon.

Miksi Samsung voi toimittaa 5G-tuotteita niin nopeasti, mikä liittyy pyrkimyksiin tutkia ja kehittää ja päivittää 5G-tekniikkaa. Äskettäin Samsung 5G -teknologiafoorumilla se jakoi Samsungin 5G-aikakauden teknisiä tietoja Jiwein kanssa. Katsotaanpa mitä Samsung on päivittänyt 5G: hen.

Itse kehitetty 5G-siru ja 3nm tulevat ensi vuonna

Syyskuun alussa 2019 Samsung Electronics julkaisi ensimmäisen integroidun 5G-sirun Exynos980. Siru käyttää 8 nm prosessia 5G-viestintämodeemin yhdistämiseen korkean suorituskyvyn mobiili AP: hen (ApplicationProcessor). Aikaisemmassa "Samsungin valimofoorumin" SFF-kokouksessa Samsung ilmoitti jälleen kerran uuden sukupolven tekniikan etenemisestä. Mikroverkko sai tietää, että 3nm: n prosessi saadaan päätökseen ensi vuonna.

Samsung 5G: n T & K-teknikkojen mukaan Samsung vaihtaa 3 nm solmussa FinFET-transistoreista GAA-surround-portteihin. 3 nm prosessissa käytetään ensimmäisen sukupolven GAA-transistoreita, joita kutsutaan virallisesti 3GAE-prosessiksi. Uuteen GAA-transistorirakenteeseen perustuen Samsung on luonut nano-sirulaitteita käyttävän MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) -sovelluksen, joka voi parantaa merkittävästi transistorin suorituskykyä ja korvata FinFET-transistoritekniikan.

Lisäksi MBCFET-tekniikka on yhteensopiva nykyisen FinFET-valmistusprosessitekniikan ja -laitteiden kanssa prosessien kehittämisen ja tuotannon nopeuttamiseksi. Verrattuna nykyiseen 7 nm: n prosessiin, 3 nm: n prosessi vähentää ytimen pinta-alaa 45%, virrankulutusta 50% ja suorituskykyä 35%. Prosessin edistymisen suhteen Samsung on tuottanut jo 7nm siruja S3Line-tehtaalla Hwaseongissa, Etelä-Koreassa tämän vuoden huhtikuussa. Prosessikehityksen odotetaan valmistuvan kuluvan vuoden aikana ja 3 nm prosessikehityksen odotetaan tapahtuvan vuonna 2020.

Päästä päähän 5G-ratkaisu

5G-aikakaudella Samsung on ensimmäinen tekniikan ja tuotteiden suhteen. Erityiset edut heijastuvat seuraavissa kohdissa:

Ensinnäkin patenttien suhteen Samsungin 5G-patentit ovat runsaat; toiseksi, 3GPP-työryhmässä Samsungilla on yhteensä 12 presidenttiä tai varapuheenjohtajaa; kolmanneksi, Samsung testasi millimetriäaltoteknologian vedonlyönnissä ja tutkimuksessa ja kehittämisessä. Millimetrin aallon peittoalue kattaa yli 1 km: n etäisyyden näköyhteydestä, ja näkymättömän linjan kattavuus ulottuu useisiin satoihin metriin. Samanaikaisesti sitä voidaan käyttää kaupunkien tiheällä alueella ja olemassa olevassa 4G-tukiasemassa.

Tällä hetkellä Samsungilla on kolme sirua, modeemi, tehopiiri ja RF-siru, ja ne kaikki ovat valmiita massatuotantoon; Verkkolaitteisiin kuuluu 5G-tukiasema ja 5G-reititin (sisä- ja ulkotiloihin). Samsungin kokonaisvaltaisiin tuotteisiin 5G-markkinoilla sisältyy päästä-päähän -verkkolaitteita, RF-siruja, päätepiirejä, päätteitä, langattomia verkkoja, ydinverkkoja ja verkonsuunnitteluohjelmistoja.

Uskon, että tulevaisuuden 5G-aikakaudella Samsung on valmis antamaan meille odottaa uuden tekniikan tulemista.