TP65H050WS / TP65H035WS Kolmannen sukupolven (Gen III) galliumnitridin (GaN) kenttävaikutusransistorit (FET)

Transphormin GaN FET: issä on hiljaisempi kytkentä vähentämällä sähkömagneettisia häiriöitä (EMI) ja lisäämällä melun häiriöitä

Transformin TP65H050WS ja TP65H035WS ovat Gen III 650 V: n GaN FETs. Ne antavat alhaisemman EMI: n, lisääntyneen häiriön häiriön häiriön ja suuremman kulmavaihteen piirisovelluksissa. 50 m & Omega; TP65H050WS ja 35 m & Omega; TP65H035WS on saatavana tavallisissa TO-247-paketeissa.

MOSFET- ja suunnittelumuutokset mahdollistavat Gen III -laitteiden tuottavan lisääntyneen kynnysjännitteen (melun häiriön) 4 V: ksi 2,1 V: sta (Gen II), mikä eliminoi negatiivisen porttitoiminnan tarpeen. Portin luotettavuus kasvoi Gen II: stä 11%: lla & plusmn: een, enintään 20 V: n. Tämä johtaa hiljaisempaan kytkentään ja alusta parantaa suorituskykyä korkeammilla tasoilla yksinkertaisella ulkoisella virtapiirillä.

Seasonic Electronics Companyn 1600T on 1600 W: n silmattomat totem-pole-alusta, joka käyttää näitä korkean jännitteen GaN FET: iä tuodakseen 99% tehonkertoimen korjauksen (PFC) tehokkuuden akkulatureissa (sähkökäyttöiset skootterit, teolliset ja muut) , ja pelimarkkinoita. Näiden FET: ien käyttö piipohjaisen alustan 1600T kanssa tuo mukanaan tehokkuuden lisääntymisen 2% ja tehon tiheyden 20%.

1600T-alustalla on Transphormin TP65H035WS, jonka avulla saavutetaan tehokkaampi teho- ja pehmeä kytkentäpiirien käyttö ja tarjoavat käyttäjille mahdollisuuksia kehittää sähköjärjestelmätuotteita. TP65H035WS-parit käyttävät yleisesti käytettyjä porttimittareita mallien yksinkertaistamiseksi.